Anlagen zur Oberflächenbehandlung in Vakuum

Plasmaanregung

Plasmaanregung.
Plasmaanregung.
  • Frequenzbereiche:
  • Niederfrequenz (kHz bis 100 kHz-Bereich)
  • Radiofrequenz (13,6 MHz)
  • durchstimmbar 0-50 MHz
  • Mikrowellen (2,45 GHz)
  • Leistung:
  • einige W bis ca. 1 kW
  • Leistungsdichten bis max. ca. 8 W/cm2
  • kontinuierliche und gepulste Anregung

Prozessgase

Prozessgase.
Prozessgase.
  • inerte Gase
  • reaktive Gase für Oberflächenmodifizierung (z. B. Sauerstoff-, Wasserstoff-, halogenhaltige Gase)
  • Schichtbildner (z. B. Silane/Siloxane, Alkane/Alkene, Fluoralkane/-alkene, Amino- und Acrylverbindungen)

Einzelne Anlagen

Anlage zur kontinuierlichen Bandbehandlung von Bahnware und Fasern.
Anlage zur kontinuierlichen Bandbehandlung von Bahnware und Fasern.
  • Anlage zur kontinuierlichen Bandbehandlung von Bahnware und Fasern
  • Parallelplattenreaktoren
  • Reaktoren zur Schlauchbehandlung
  • Anlage zur Plasma-Innenbeschichtung von Flaschen, Kanistern oder anedren grösseren Holkörpern
  • (reaktives) Magnetron-Sputtern
  • Parylen®-Beschichtungsanlage in Kombination mit Plasmaverfahren